发明公开
- 专利标题： Générateur de jets moléculaires par craquage thermique pour la fabrication de semi-conducteurs par dépôt épitaxial
- 专利标题（英）： Generator of molecular beams by thermal decomposition for the production of semiconductors by epitaxial deposition
- 专利标题（中）： 通过外延沉积的半导体制备的热分解分子束发生器。
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申请号： EP85402240.7申请日： 1985-11-19
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公开(公告)号： EP0232436A1公开(公告)日： 1987-08-19
- 发明人: Huet, Daniel , Lambert, Marc
- 申请人： COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite:
- 申请人地址： 54, rue La Boétie F-75382 Paris Cédex 08 FR
- 专利权人： COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite:
- 当前专利权人： COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE Société anonyme dite:
- 当前专利权人地址： 54, rue La Boétie F-75382 Paris Cédex 08 FR
- 代理机构： Weinmiller, Jürgen
- 主分类号： C30B23/06
- IPC分类号： C30B23/06 ; C30B29/40
摘要：
Le craquage de l'arsine ou de la phosphine utilisée pour former un jet moléculaire d'arsenic ou de phosphore est réalisée sur les surfaces intérieures d'un conduit de craquage (11) constitué de quartz ou de nitrure de bore et chauffé de l'extérieur par le rayonnement d'un filament 30. Des cloisons intérieures percées (6a, 6b, 6c et 6d) augmentent la surface de craquage et empêchent une molécule de traverser le conduit en ligne droite.
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