发明公开
- 专利标题： Process for preparing high purity polycrystalline silicon
- 专利标题（中）： 制备高纯度多晶硅的方法
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申请号： EP88103728.7申请日： 1988-03-09
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公开(公告)号： EP0282037A3公开(公告)日： 1989-02-08
- 发明人: Ikeda, Hiroshi , Tsunashima, Makoto
- 申请人： MITSUBISHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA
- 申请人地址： 5-2, Otemachi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100 JP
- 专利权人： MITSUBISHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： MITSUBISHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： 5-2, Otemachi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100 JP
- 代理机构： von Füner, Alexander, Dr.
- 优先权： JP54197/87 19870311
- 主分类号： C01B33/02
- IPC分类号： C01B33/02
摘要：
Polycrystalline silicon having a purity not lower than 99.9999% is produced by decomposition of polychloropolysilane which can be easily purified by distillation.
公开/授权文献
- EP0282037A2 Process for preparing high purity polycrystalline silicon 公开/授权日：1988-09-14
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