发明公开
- 专利标题： Processing apparatus and method
- 专利标题（中）： 处理装置和方法
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申请号： EP88110008.5申请日： 1988-06-23
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公开(公告)号： EP0299245A1公开(公告)日： 1989-01-18
- 发明人: Loewenstein, Lee M. , Freeman, Dean W. , Davis, Cecil J.
- 申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 申请人地址： 13500 North Central Expressway Dallas Texas 75265 US
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人地址： 13500 North Central Expressway Dallas Texas 75265 US
- 代理机构： Leiser, Gottfried, Dipl.-Ing.
- 优先权： US74453 19870716
- 主分类号： C23C16/34
- IPC分类号： C23C16/34 ; C23C16/48 ; C23C16/50
摘要：
A process for deposition of silicon nitride which utilizes the combination of remote(1326) and in situ plasma (1312,1314) in a low pressure process module (1300) and the plasma is generated form a mixture of Helium, N₂ or NH₃, and SiH₄ or SiH₂Cl₂.
公开/授权文献
- EP0299245B1 Processing apparatus and method 公开/授权日：1992-09-16
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IPC分类:
