Process for fabricating an integrated circuit by a repetition of exposure of a semiconductor pattern

发明授权

EP0485303B1 Process for fabricating an integrated circuit by a repetition of exposure of a semiconductor pattern 失效

标题翻译：由半导体图案Wiederholbelichtung制造集成电路的方法

专利标题： Process for fabricating an integrated circuit by a repetition of exposure of a semiconductor pattern
专利标题（中）： 由半导体图案Wiederholbelichtung制造集成电路的方法
申请号： EP91403020.0

申请日： 1991-11-08
公开(公告)号： EP0485303B1

公开(公告)日： 1999-04-21
发明人: Ema, Taiji , Shirai, Hisatsugu , Kobayashi, Katsuyoshi , Taguchi, Masao
申请人： FUJITSU LIMITED
申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
专利权人： FUJITSU LIMITED
当前专利权人： FUJITSU LIMITED
当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
代理机构： Joly, Jean-Jacques
优先权： JP304697/90 19901109
主分类号： G03F7/20
IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/027 ; H01L21/82

公开/授权文献

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IPC分类:

G	物理
G03	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F	图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G）
G03F7/00	图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L21/00，H05K）
G03F7/20	.曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B27/00）