PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE A TRANSFERT DE CHARGES AVEC SYSTEME D'ANTI-EBLOUISSEMENT

发明授权

EP0550726B1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE A TRANSFERT DE CHARGES AVEC SYSTEME D'ANTI-EBLOUISSEMENT 失效

标题翻译：制造方法电荷转移装置有溢流系统

专利标题： PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE A TRANSFERT DE CHARGES AVEC SYSTEME D'ANTI-EBLOUISSEMENT
专利标题（英）： Method for producing a charge-transfer integrated circuit having an antiglare system
专利标题（中）： 制造方法电荷转移装置有溢流系统
申请号： EP92915950.7

申请日： 1992-07-10
公开(公告)号： EP0550726B1

公开(公告)日： 1998-05-27
发明人: BLANCHARD, Pierre
申请人： THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES
申请人地址： 173, Boulevard Haussmann 75008 Paris FR
专利权人： THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES
当前专利权人： THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES
当前专利权人地址： 173, Boulevard Haussmann 75008 Paris FR
代理机构： Guérin, Michel
优先权： FR9108954 19910716
国际公布： WO9302470 19930204
主分类号： H01L21/285
IPC分类号： H01L21/285 ; H01L27/148 ; H04N3/15 ; H04N5/217

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28	....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283	.....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285	......气体或蒸气的沉积，例如冷凝