公开(公告)号：EP0548351B1

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：EP92916200.6

申请日：1992-07-10

申请人： THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

发明人： BLANCHARD, Pierre

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/60 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/42396 ,  H01L29/66954 ,  Y10S438/911 ,  Y10S438/981

摘要： Integrated circuits and their production are described. A method for producing very closely juxtaposed electrodes, such as those in charge-transfer shift registers, is provided, wherein a first film of polysilicon (14) is deposited and localized oxidation is performed over a narrow strip to divide the film into two electrodes (15 and 17), whereafter the oxidized area of the film between the two electrodes is completely deoxidized to form a hollowed space in which a third electrode (38) may be placed. Said third electrode, which is also made of polysilicon, is deposited once a thin insulating film has been formed on the sides of electrodes (15) and (17). Since the hollowed space between the first two electrodes is narrow, a raised polysilicon portion is obtained. Thus, when the silicon of the deposited film is etched, electrodes remain only on the areas which previously were raised. A third electrode which is very close to the first two is thereby formed and has no coating other than on the sides of the first two electrodes.

公开(公告)号：EP0548351A1

公开(公告)日：1993-06-30

申请号：EP92916200.0

申请日：1992-07-10

申请人： THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

发明人： BLANCHARD, Pierre

IPC分类号： H01L27 ,  H01L21 ,  H01L29

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/42396 ,  H01L29/66954 ,  Y10S438/911 ,  Y10S438/981

摘要： L'invention concerne les circuits intégrés et leur fabrication. Il est décrit un procédé pour réaliser des électrodes juxtaposées très rapprochées, telles que celles qu'on rencontre dans les registres à décalage à transfert de charge. Selon l'invention, on dépose une première couche de silicium polycristallin (14) et on fait une oxydation localisée sur une faible largeur, pour diviser la couche en deux électrodes (15 et 17). Puis on désoxyde totalement la zone de couche qui a été oxydée entre les deux électrodes, pour réaliser un espace évidé dans lequel on pourra loger une troisième électrode (38). Cette troisième électrode, en silicium polycristallin également, est déposée après qu'on ait reformé une légrère couche isolante sur les flancs des électrodes (15 et 17). Comme la largeur de l'espace évidé entre les deux premières électrodes est faible, il se forme une surépaisseur de silicium polycristallin. Il ne reste qu'à graver le silicium sur l'épaisseur de la couche déposée pour que ne subsistent des électrodes que dans les zones qui présentaient une surépaisseur. On a ainsi formé une troisième électrode très proche des deux premières, et pourtant sans recouvrement autre que sur les flancs des deux premières.

公开(公告)号：EP0550726B1

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：EP92915950.7

申请日：1992-07-10

申请人： THOMSON-CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES

发明人： BLANCHARD, Pierre

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L27/148 ,  H04N3/15 ,  H04N5/217

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28525 ,  Y10S148/111