发明公开
- 专利标题: HALOGEN-ASSISTED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF DIAMOND
- 专利标题(中): 金刚石辅助化学气相沉积
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申请号: EP91911215.0申请日: 1991-05-16
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公开(公告)号: EP0557281A1公开(公告)日: 1993-09-01
- 发明人: PATTERSON, Donald, E. , HAUGE, Robert, H. , CHU, C., Judith , MARGRAVE, John, L.
- 申请人: HOUSTON AREA RESEARCH CENTER
- 申请人地址: 4802 Research forest Drive The Woodlands, TX 77381 US
- 专利权人: HOUSTON AREA RESEARCH CENTER
- 当前专利权人: HOUSTON AREA RESEARCH CENTER
- 当前专利权人地址: 4802 Research forest Drive The Woodlands, TX 77381 US
- 代理机构: Smith, Norman Ian
- 优先权: US19900528804 19900524
- 国际公布: WO1991018128 19911128
- 主分类号: C23C16
- IPC分类号: C23C16
摘要:
L'invention se rapporte à un procédé servant à déposer des films et des particules de diamant sur une variété de substrats, par écoulement d'un gaz ou d'un mélange gazeux capable de fournir du carbone, de l'hydrogène et un halogène à travers un réacteur (56) sur le matériau du substrat (72). Les gaz réactifs peuvent être mélangés au préalable avec un gaz inerte afin de maintenir une faible teneur générale en carbone et une forte teneur générale en hydrogène, en pourcent en volume, du mélange gazeux. Le prétraitement des gaz réactifs jusqu'à un état d'énergie élevée n'est pas nécessaire contrairement à la plupart des procédés de dépôt de diamant par voie chimique connus de l'état de la technique. Le prétraitement n'étant pas nécessaire, il est possible d'utiliser le procédé pour des substrats de quasiment toutes les dimensions, formes ou configurations voulues.
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