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公开(公告)号:EP0557281A1
公开(公告)日:1993-09-01
申请号:EP91911215.0
申请日:1991-05-16
IPC分类号: C23C16
CPC分类号: C23C16/27 , C23C16/277 , Y10S427/103
摘要: L'invention se rapporte à un procédé servant à déposer des films et des particules de diamant sur une variété de substrats, par écoulement d'un gaz ou d'un mélange gazeux capable de fournir du carbone, de l'hydrogène et un halogène à travers un réacteur (56) sur le matériau du substrat (72). Les gaz réactifs peuvent être mélangés au préalable avec un gaz inerte afin de maintenir une faible teneur générale en carbone et une forte teneur générale en hydrogène, en pourcent en volume, du mélange gazeux. Le prétraitement des gaz réactifs jusqu'à un état d'énergie élevée n'est pas nécessaire contrairement à la plupart des procédés de dépôt de diamant par voie chimique connus de l'état de la technique. Le prétraitement n'étant pas nécessaire, il est possible d'utiliser le procédé pour des substrats de quasiment toutes les dimensions, formes ou configurations voulues.
摘要翻译: 本发明涉及一种通过使能够供应碳,氢和卤素的气体或气体混合物流入各种基材上而将膜和金刚石颗粒沉积到 通过基底材料(72)上的反应器(56)。 反应气体可以与惰性气体预混合以保持低的总碳含量和气体混合物的体积百分比的高总氢含量。 与现有技术中已知的大多数化学金刚石沉积工艺相反,将反应性气体预处理成高能态不是必需的。 由于预处理不是必需的,因此可以将该工艺用于几乎任何所需尺寸,形状或结构的基材。