On décrit un procédé de fabrication de tranches à semi-conducteurs à plusieurs niveaux comprenant une couche d'aplanissement de verre appliquée par centrifugation. Avant que ne soit effectuée la métallisation sous vide de la couche d'interconnexion, et après l'application de la couche appliquée par centrifugation, la tranche est exposée à une décharge luminescente intense d'une telle façon qu'elle est bombardée sous au moins un vide partiel par des ions et/ou des électrons et/ou des photons alors qu'elle se trouve à une température comprise entre 400 °C et 550 °C, et qui est supérieure de 25 °C au moins à la température à laquelle est soumise la tranche au cours de l'étape de métallisation suivante. De cette manière, des molécules indésirables peuvent être désorbées à partir de la couche de verre appliquée par centrifugation de sorte qu'elles ne perturbent pas l'étape de métallisation ultérieure.