发明公开
EP0632490A2 Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor
失效
Herstellungsverfahrenfürlateralen双管晶体管。
- 专利标题： Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor
- 专利标题（英）： Method of manufacturing a lateral bipolar transistor
- 专利标题（中）： Herstellungsverfahrenfürlateralen双管晶体管。
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申请号： EP94109101.9申请日： 1994-06-14
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公开(公告)号： EP0632490A2公开(公告)日： 1995-01-04
- 发明人: Bertagnolli, Emmerich, Dr.
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 优先权： DE4322137 19930702
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/735
摘要：
Herstellungsverfahren für laterale Bipolartransistoren, bei dem in der mit einer Grunddotierung versehenen Siliziumschicht eines SOI-Substrates unter Verwendung einer Maske eine hoch dotierte Kollektorzone (8) hergestellt wird, dann eine mindestens diese Kollektorzone (8) bedeckende strukturierte Dielektrikumschicht (10) aufgebracht wird, die den für Emitter und Basis vorgesehenen Bereich frei läßt, dieser frei gelassene Bereich umdotiert wird, dann ganzflächig mit gleichmäßiger Dicke (d1) eine Hilfsschicht (11) aufgebracht wird, unter Verwendung dieser Hilfsschicht (11) als Abschirmung für die herzustellende Basiszone (9) eine Dotierung für eine Emitterzone (7) eingebracht wird und anschließend Emitter, Basis und Kollektor mit Kontakten versehen werden.
公开/授权文献
- EP0632490A3 Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor 公开/授权日：1996-09-11
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