发明公开
- 专利标题： Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor
- 专利标题（英）： Method of manufacturing a lateral bipolar transistor.
- 专利标题（中）： 上述横向双极性晶体管的制造方法。
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申请号： EP94109102.7申请日： 1994-06-14
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公开(公告)号： EP0632491A3公开(公告)日： 1996-09-11
- 发明人: Bertagnolli, Emmerich, Dr. , Klose, Helmut, Dr.
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 优先权： DE4322138 19930702
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/735
摘要：
Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor, bei dem unter Verwendung einer Maske durch Implantation in einen mit einer Grunddotierung versehenen Bereich (4) in der Siliziumschicht eines SOI-Substrates eine hoch dotierte Emitterzone (7) und Kollektorzone (8) sowie eine Basisanschlußzone ausgebildet werden und dann unter Verwendung einer Maske (10) eine Basiszone zwischen dieser Emitterzone (7) und dieser Kollektorzone (8) durch Implantieren von Dotierstoff hergestellt wird.
公开/授权文献
- EP0632491A2 Herstellungsverfahren für lateralen Bipolartransistor 公开/授权日：1995-01-04
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