发明公开
EP0635887A1 Dispositif intégré associant un transistor bipolaire à un transistor à effet de champ
失效
Aus einem双极晶体管和einem Feldeffekt-晶体管bestehende integrierte Anordnung。
- 专利标题： Dispositif intégré associant un transistor bipolaire à un transistor à effet de champ
- 专利标题（英）： Integrated device associating a bipolar transistor with a field effect transistor
- 专利标题（中）： Aus einem双极晶体管和einem Feldeffekt-晶体管bestehende integrierte Anordnung。
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申请号： EP94202035.5申请日： 1994-07-14
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公开(公告)号： EP0635887A1公开(公告)日： 1995-01-25
- 发明人: Journeau, Jacques
- 申请人： PHILIPS COMPOSANTS ET SEMICONDUCTEURS , PHILIPS ELECTRONICS N.V.
- 申请人地址： 4, rue du Port-aux-Vins 92150 Suresnes FR
- 专利权人： PHILIPS COMPOSANTS ET SEMICONDUCTEURS,PHILIPS ELECTRONICS N.V.
- 当前专利权人： PHILIPS COMPOSANTS ET SEMICONDUCTEURS,PHILIPS ELECTRONICS N.V.
- 当前专利权人地址： 4, rue du Port-aux-Vins 92150 Suresnes FR
- 代理机构： Charpail, François
- 优先权： FR9309053 19930722
- 主分类号： H01L27/07
- IPC分类号： H01L27/07 ; H01L29/73
摘要：
- Dispositif associant un transistor bipolaire (10) et un transistor à effet de champ à jonction (12) en vue de produire une tension de sortie (Vd) plus élevée que la tension BV CEO du transistor bipolaire (10).
- Une extension latérale (30) de la zone de base (28) formant grille du transistor à effet de champ est munie d'une ouverture (38) dans laquelle est située une région de drain (40). Une région périphérique (36) fortement dopée, de même type que la région de drain (40), entoure l'extension latérale (30), sur trois côtés, tandis qu'une région de couche enterrée fortement dopée (34), formant une partie conductrice de collecteur du transistor bipolaire (10), s'étend jusque sous la région périphérique (36) et forme avec cette dernière la source du transistor à effet de champ (12).
- Application : circuits intégrés.
- Une extension latérale (30) de la zone de base (28) formant grille du transistor à effet de champ est munie d'une ouverture (38) dans laquelle est située une région de drain (40). Une région périphérique (36) fortement dopée, de même type que la région de drain (40), entoure l'extension latérale (30), sur trois côtés, tandis qu'une région de couche enterrée fortement dopée (34), formant une partie conductrice de collecteur du transistor bipolaire (10), s'étend jusque sous la région périphérique (36) et forme avec cette dernière la source du transistor à effet de champ (12).
- Application : circuits intégrés.
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