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    Dispositif intégré associant un transistor bipolaire à un transistor à effet de champ
    2.
    发明公开
    Dispositif intégré associant un transistor bipolaire à un transistor à effet de champ 失效
    Aus einem双极晶体管和einem Feldeffekt-晶体管bestehende integrierte Anordnung。

    公开(公告)号：EP0635887A1

    公开(公告)日：1995-01-25

    申请号：EP94202035.5

    申请日：1994-07-14

    申请人： PHILIPS COMPOSANTS ET SEMICONDUCTEURS ,  PHILIPS ELECTRONICS N.V.

    发明人： Journeau, Jacques

    IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L29/73

    CPC分类号： H01L29/7302 ,  H01L27/0716

    摘要： - Dispositif associant un transistor bipolaire (10) et un transistor à effet de champ à jonction (12) en vue de produire une tension de sortie (Vd) plus élevée que la tension BV CEO du transistor bipolaire (10).
       - Une extension latérale (30) de la zone de base (28) formant grille du transistor à effet de champ est munie d'une ouverture (38) dans laquelle est située une région de drain (40). Une région périphérique (36) fortement dopée, de même type que la région de drain (40), entoure l'extension latérale (30), sur trois côtés, tandis qu'une région de couche enterrée fortement dopée (34), formant une partie conductrice de collecteur du transistor bipolaire (10), s'étend jusque sous la région périphérique (36) et forme avec cette dernière la source du transistor à effet de champ (12).
       - Application : circuits intégrés.

    摘要翻译： 为了产生比双极晶体管（10）的电压BVCEO更高的输出电压（Vd），器件将双极晶体管（10）和结型场效应晶体管（12）相关联。 - 形成场效应晶体管的栅极的基极区（28）的横向延伸部（30）配备有漏极区域（40）所在的孔（38）。 与漏极区域（40）相同类型的重掺杂外围区域（36）在三侧围绕着横向延伸部（30），而重掺杂掩埋层区域（34）形成导电集电器部分 双极晶体管（10）延伸到外围区域（36）的下方，并且随后形成场效应晶体管（12）的源极。 - 应用：集成电路。