发明授权
- 专利标题： GaN single crystal
- 专利标题（中）： GaN单晶
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申请号： EP94115739.8申请日： 1994-10-06
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公开(公告)号： EP0647730B1公开(公告)日： 2002-09-11
- 发明人: Tadatomo, Kazuyuki, c/o Itami Works of , Watabe, Shinichi, c/o Itami Works of , Okagawa, Hiroaki, c/o Itami Works of , Hiramatsu, Kazumasa
- 申请人： Mitsubishi Cable Industries, Ltd.
- 申请人地址： 8, Nishino cho Higashimukaijima Amagasaki-shi Hyogo-ken 660 JP
- 专利权人： Mitsubishi Cable Industries, Ltd.
- 当前专利权人： Mitsubishi Cable Industries, Ltd.
- 当前专利权人地址： 8, Nishino cho Higashimukaijima Amagasaki-shi Hyogo-ken 660 JP
- 代理机构： von Kreisler, Alek, Dipl.-Chem.
- 优先权： JP25309893 19931008; JP6281394 19940331; JP6281594 19940331
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; H01L21/00
公开/授权文献
- EP0647730A3 GaN single crystal 公开/授权日：1998-01-28
信息查询
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