发明公开
EP0703625A3 Deep trench DRAM process on SOI for low leakage DRAM cell
失效
Tiefgraber-DRAM-Prozess auf SOIfürDRAM-Zelle niedrigen Leckstromes
- 专利标题： Deep trench DRAM process on SOI for low leakage DRAM cell
- 专利标题（中）： Tiefgraber-DRAM-Prozess auf SOIfürDRAM-Zelle niedrigen Leckstromes
-
申请号： EP95114657.0申请日： 1995-09-18
-
公开(公告)号： EP0703625A3公开(公告)日： 1999-03-03
- 发明人: Alsmeier, Johann , Stengl, Reinhard Johannes
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München DE
- 优先权： US313507 19940926
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L21/82
摘要：
A deep trench DRAM cell is formed on a silicon on isolator (SOI) substrate, with a buried strap formed by outdiffusion of dopant in associated trench node material, for providing an electrical connection between the trench node and the active area of a MOS transfer gate formed in the substrate adjacent the trench in an uppermost portion of the substrate.
公开/授权文献
- EP0703625B1 Deep trench DRAM process on SOI for low leakage DRAM cell 公开/授权日：2004-06-09
信息查询
IPC分类:
