发明公开
- 专利标题： Method of etching silicon carbide
- 专利标题（中）： Verfahren zumÄtzenvon Siliziumkarbid
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申请号： EP96115214.7申请日： 1996-09-23
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公开(公告)号： EP0767490A1公开(公告)日： 1997-04-09
- 发明人: Thero, Christine , Norton, Patricia A.
- 申请人： MOTOROLA, INC.
- 申请人地址： 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 US
- 专利权人： MOTOROLA, INC.
- 当前专利权人： MOTOROLA, INC.
- 当前专利权人地址： 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 US
- 代理机构： Spaulding, Sarah Jane
- 优先权： US538064 19951002
- 主分类号： H01L21/467
- IPC分类号： H01L21/467 ; H01L21/465
摘要：
A mask (12) is applied to a silicon carbide substrate (11) in order to etch the substrate (11). The material used for the mask (12) has a Mohs hardness factor greater than 4 in order to prevent sputtering material from the mask (12) onto the substrate (11). An oxygen and sulfur hexafluoride plasma is utilized to perform the etch.
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