公开(公告)号：EP0767490A1

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：EP96115214.7

申请日：1996-09-23

申请人： MOTOROLA, INC.

发明人： Thero, Christine ,  Norton, Patricia A.

IPC分类号： H01L21/467 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/0475 ,  Y10S438/931

摘要： A mask (12) is applied to a silicon carbide substrate (11) in order to etch the substrate (11). The material used for the mask (12) has a Mohs hardness factor greater than 4 in order to prevent sputtering material from the mask (12) onto the substrate (11). An oxygen and sulfur hexafluoride plasma is utilized to perform the etch.

摘要翻译： 将掩模（12）施加到碳化硅衬底（11）上以蚀刻衬底（11）。 用于掩模（12）的材料具有大于4的莫氏硬度因子，以防止将掩模（12）溅射到衬底（11）上。 利用氧和六氟化硫等离子体进行蚀刻。