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发明公开
EP0834909A2 Verfahren zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements 失效
Verfahren zurErhöhungder Spannungsfestigkeit eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements

  • 专利标题： Verfahren zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements
  • 专利标题（英）： Method of enhancing the withstanding voltage of a multilayered semiconductor device
  • 专利标题（中）： Verfahren zurErhöhungder Spannungsfestigkeit eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements
  • 申请号： EP97122692.3
    申请日： 1990-09-04
  • 公开(公告)号： EP0834909A2
    公开(公告)日： 1998-04-08
  • 发明人: Die Erfindernennung liegt noch nicht vor
  • 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
  • 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
  • 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
  • 优先权： DE3932489 19890928
  • 主分类号： H01L21/22
  • IPC分类号： H01L21/22 ;  H01L21/263 ;  H01L29/32
Verfahren zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements
摘要：
Zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit eines Halbleiterbauelements, das eine Folge von Halbleiterschichten (1 bis 4) alternierender Leitungstypen aufweist und mit einer Spannung beaufschlagt wird, die wenigstens einen der die Schichten voneinander trennenden pn-Übergänge (7) in Sperrichtung vorspannt, wird lediglich im lateralen Bereich (LBr) des Randabschlusses (12) dieses pn-Übergangs (7) die Trägerlebensdauer durch Einbringen von Atomen mit Rekombinationseigenschaften reduziert.
摘要（中）：

盘状半导体部件的电压强度增加，与阴极（K）连接的第一导电型发射极层（1）的部件和形成第一pn结的第二导电型基极层（2） （7），其具有第二导电类型的基极层（3），所述第一导电型基极层（3）又与第二导电类型的第二发射极层（4）连接到阳极（A）形成第二pn结（8）。 该方法包括用掩模（18）覆盖部件的中心有源区（LBz），以允许仅在第一和第二导电类型基区中的原子具有复合性质的离子注入，并且在侧向区域内的第二导电类型发射极层 （LBr）的边缘连接（12,13），用于表面场强降低。

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