发明授权
EP0847598B1 SiC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN JUNCTION WITH A VOLTAGE ABSORBING EDGE
失效
WITH A PN-TRANSITION的SiC半导体的配置中，边缘吸收VOLTAGE CONTAINS
- 专利标题： SiC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN JUNCTION WITH A VOLTAGE ABSORBING EDGE
- 专利标题（中）： WITH A PN-TRANSITION的SiC半导体的配置中，边缘吸收VOLTAGE CONTAINS
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申请号： EP96929634.2申请日： 1996-08-30
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公开(公告)号： EP0847598B1公开(公告)日： 2004-02-25
- 发明人: BAKOWSKI, Mietek , BIJLENGA, Bo , GUSTAFSSON, Ulf , HARRIS, Christopher , SAVAGE, Susan
- 申请人： CREE, INC.
- 申请人地址： 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 US
- 专利权人： CREE, INC.
- 当前专利权人： CREE, INC.
- 当前专利权人地址： 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 US
- 代理机构： Olsson, Jan
- 优先权： US520689 19950830
- 国际公布： WO1997008754 19970306
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/24 ; H01L29/36 ; H01L21/04 ; H01L21/302
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