发明授权
EP1146558B1 Semiconductor device with damascene wiring structure and method of its fabrication
有权
具有用于其制备镶嵌布线结构和工艺的半导体器件
- 专利标题： Semiconductor device with damascene wiring structure and method of its fabrication
- 专利标题（中）： 具有用于其制备镶嵌布线结构和工艺的半导体器件
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申请号： EP01300116.9申请日： 2001-01-08
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公开(公告)号： EP1146558B1公开(公告)日： 2016-06-01
- 发明人: Otsuka, Satoshi , Yamanoue, Akira
- 申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 申请人地址： 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 专利权人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人地址： 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 代理机构： Wilding, Frances Ward
- 优先权： JP2000113286 20000414
- 主分类号： H01L23/532
- IPC分类号： H01L23/532 ; H01L23/522 ; H01L21/768 ; H01L23/528
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