专利检索 ap:("Fujitsu Semiconductor Limited") AND inv:"Yamanoue, Akira" 第 1 页

1.

发明授权
Semiconductor device with damascene wiring structure and method of its fabrication 有权
标题翻译：具有用于其制备镶嵌布线结构和工艺的半导体器件

公开(公告)号：EP1146558B1

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：EP01300116.9

申请日：2001-01-08

申请人： Fujitsu Semiconductor Limited

发明人： Otsuka, Satoshi , Yamanoue, Akira

IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76816 , H01L21/76807 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00