发明授权
- 专利标题： Semiconductor integrated circuit with reduced leakage current
- 专利标题（中）： 具有减小漏电流的半导体集成电路
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申请号： EP01122513.3申请日： 2001-09-21
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公开(公告)号： EP1195902B1公开(公告)日： 2010-10-27
- 发明人: Furusawa, Toshiyuki , Sonoda, Daisuke , Usami, Kimiyoshi , Kawabe, Naoyuki , Koizumi, Masayuki , Zama, Hidemasa , Kanazawa, Masahiro
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 申请人地址： 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo JP
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo JP
- 代理机构： HOFFMANN EITLE
- 优先权： JP2000295234 20000927
- 主分类号： H03K19/00
- IPC分类号： H03K19/00
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