发明授权
- 专利标题： TELLURIUM-CONTAINING NANOCRYSTALLINE MATERIALS
- 专利标题（中）： 纳米含碲材料
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申请号： EP00950729.4申请日： 2000-07-26
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公开(公告)号： EP1250474B1公开(公告)日： 2005-10-26
- 发明人: MIKULEC, Frederic, V. , BAWENDI, Moungi, G. , KIM, Sungjee
- 申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- 申请人地址： 77 Cambridge Avenue Cambridge, MA 02138 US
- 专利权人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- 当前专利权人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- 当前专利权人地址： 77 Cambridge Avenue Cambridge, MA 02138 US
- 代理机构： Mallalieu, Catherine Louise
- 优先权： US145708P 19990726
- 国际公布： WO2001007689 20010201
- 主分类号： C30B7/00
- IPC分类号： C30B7/00 ; H01L33/00 ; C07F9/22 ; C07F9/36 ; C30B29/60 ; C01B19/04 ; C07F9/44
摘要：
Tellurium-containing nanocrystallites are produced by injection of a precursor into a hot coordinating solvent, followed by controlled growth and annealing. Nanocrystallites may include CdTe, ZnTe, MgTe, HgTe, or alloys thereof. The nanocrystallites can photoluminesce with quantum efficiencies as high as 70 %.
公开/授权文献
- EP1250474A2 TELLURIUM-CONTAINING NANOCRYSTALLINE MATERIALS 公开/授权日：2002-10-23
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