从供体晶片（30）到接收器晶片半导体的连续薄层的转移涉及秉承施体晶片到接收机晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面，并且传递环的薄半导体层（ 10）从通过在供体层中分离到脆化区施主晶片到接收晶片。 半导体的连续薄层的转移从一个供体晶片到接收机晶片包括：（a）组装一体晶片，其包括半导体材料与载体，以形成机械稳定的组件包括一个供体晶片（30），其包括100-300 半导体材料的微米厚的施体层（10）和100-300微米厚的支撑层（20）; （B）在脆化区在所述施主层的受控深度（10）创建; （C）粘附所述施体晶片（30）到接收器晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面（30）; （D）传递环通过实现在脆化区分离半导体材料的薄层从施主晶片（30）到接收器晶片; 及（e）重复操作（b）至（d）在不损坏所述施主晶片（30）的支撑层（20）。 操作（a）到（d）重复的选择作为施体层（10）和脆化区的深度的厚度的函数的最大次数。 步骤（a）是由体晶片和所述支撑件的抛光表面之间的分子粘附或高温焊接实现。 阶段（b）通过气态物质的注入实现。 阶段（c）通过分子粘附实现。 阶段（d）中，通过施加热和/或机械应力实现。 半导体材料是单晶半导体，优选为Si，SiC和宽间隙单 - 或多 - 金属氮化物，尤其是爱的GaN。 该支撑件从包括以下的组的材料相同的材料作为单晶选择，但所有这些都是低质量的单晶，或者是多晶的，或是不同的聚型的。 支撑层（20）选自Si，氮化镓，碳化硅，氮化镓，碳化硅，氮化铝和蓝宝石中选择。 独立claimsoft给出用于施体晶片的制造方法。

A transfer method of successive thin layers of a semiconductor material of a donor wafer to a receiving wafer comprising the following steps:

• (A) assembling a massive wafer consists of semiconductor material with a carrier to form the donor wafer with a donor layer (102) of said semiconductor material and a support layer (20),
• (B) creating in the donor layer a zone of weakness (12),
• (C) bonding the donor wafer on the recipient board (40) at the free surface of the donor layer,
• (D) performing a separation at the weakened zone, a thin layer (101) of semiconductor material thus being transferred from the donor wafer on the recipient board, and
• (E) repeating steps (b) through (d) without the support layer of the donor wafer is undertaken.