公开(公告)号：EP1482548A1

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：EP03291252.9

申请日：2003-05-26

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： Maurice, Thibaut ,  Cayrefourcq, Ian ,  Fournel, Franck

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a wafer in which a heterogeneous material compound is split at a pre-determined splitting area of the compound, and the compound is subject to a thermal treatment. It is the object of the present invention to provide an easy and effective method of splitting a heterogeneous material compound with a reduced risk of an undefined breaking of the compound. The object is solved by a method of the above-mentioned type characterised in that the thermal treatment comprises: an annealing of the compound which is stopped before a splitting of the compound; and an irradiation of the compound with photons in order to obtain a splitting of the compound at the pre-determined splitting area.

摘要翻译： 该方法包括退火异质材料化合物，其中退火步骤在化合物分裂之前停止。 退火步骤以高达99％的化合物分裂的热分裂能量的能量进行。 用光子照射材料化合物以在预定的分裂区域（5）处分裂化合物。

公开(公告)号：EP1324385A2

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：EP02293182.8

申请日：2002-12-20

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies

发明人： Letertre, Fabrice ,  Maurice, Thibaut

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/18 ,  H01L21/68 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/954 ,  Y10S438/964

摘要： Un procédé de report de couches minces successives d'un matériau semi-conducteur d'une plaquette donneuse vers une plaquette receveuse comprend les étapes suivantes :

(a) assembler une tranche massive constituée du matériau semi-conducteur avec un support pour former la plaquette donneuse avec une couche donneuse (102) dudit matériau semi-conducteur et une couche support (20),
(b) créer dans la couche donneuse une zone de fragilisation (12),
(c) coller la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse (40) au niveau de la face libre de la couche donneuse,
(d) effectuer une séparation au niveau de la zone de fragilisation, une couche mince (101) du matériau semi-conducteur étant ainsi reportée de la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse, et
(e) répéter les opérations (b) à (d) sans que la couche support de la plaquette donneuse ne soit entamée.

Un procédé d'obtention d'une plaquette donneuse est également proposé.

摘要翻译： 从供体晶片（30）到接收器晶片半导体的连续薄层的转移涉及秉承施体晶片到接收机晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面，并且传递环的薄半导体层（ 10）从通过在供体层中分离到脆化区施主晶片到接收晶片。 半导体的连续薄层的转移从供体晶片的接收器晶片包括：<？>（a）组装一体晶片，其包括半导体材料与载体，以形成机械稳定的组件包括一个供体晶片的 100-300（30），包括半导体材料的微米厚的施体层（10）和100-300微米厚的支撑层（20）; （b）中，在脆化区在施体层（10）的受控深度创建; （C）粘附所述施体晶片（30）到接收器晶片在施主晶片（30）的施体层（10）的自由表面; （d）中传递环半导体材料从施体晶片（30）到接收器晶片通过在脆化区 - 影响分离薄层; 和（e）重复操作（b）至（d）在不损坏所述施主晶片（30）的支撑层（20）。 操作（a）到（d）重复的选择作为施体层（10）和脆化区的深度的厚度的函数的最大次数。 步骤（a）由体晶片和所述支撑件的抛光表面之间的分子粘附或高温焊接实现。 阶段（B）是由气态物质的注入实现。 阶段（c）通过分子粘附实现。 阶段（d）中，通过施加热和/或机械应力实现。 的半导体材料是单晶半导体，优选为Si，SiC和宽间隙单 - 或多 - 金属氮化物，尤其是爱的GaN。 支撑是从一组包括相同的材料作为单晶选择，但所有这些都是低质量的单晶，或者是多晶的，或是不同的聚型的。 支撑层（20）选自Si，氮化镓，碳化硅，氮化镓，碳化硅，氮化铝和蓝宝石中选择。 一种独立claimsoft给出用于施体晶片的制造方法。

公开(公告)号：EP1324385A3

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：EP02293182.8

申请日：2002-12-20

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies

发明人： Letertre, Fabrice ,  Maurice, Thibaut

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/954 ,  Y10S438/964

摘要： Un procédé de report de couches minces successives d'un matériau semi-conducteur d'une plaquette donneuse vers une plaquette receveuse comprend les étapes suivantes : (a) assembler une tranche massive constituée du matériau semi-conducteur avec un support pour former la plaquette donneuse avec une couche donneuse (102) dudit matériau semi-conducteur et une couche support (20), (b) créer dans la couche donneuse une zone de fragilisation (12), (c) coller la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse (40) au niveau de la face libre de la couche donneuse, (d) effectuer une séparation au niveau de la zone de fragilisation, une couche mince (101) du matériau semi-conducteur étant ainsi reportée de la plaquette donneuse sur la plaquette receveuse, et (e) répéter les opérations (b) à (d) sans que la couche support de la plaquette donneuse ne soit entamée. Un procédé d'obtention d'une plaquette donneuse est également proposé.

摘要翻译： 从供体晶片（30）到接收器晶片半导体的连续薄层的转移涉及秉承施体晶片到接收机晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面，并且传递环的薄半导体层（ 10）从通过在供体层中分离到脆化区施主晶片到接收晶片。 半导体的连续薄层的转移从一个供体晶片到接收机晶片包括：（a）组装一体晶片，其包括半导体材料与载体，以形成机械稳定的组件包括一个供体晶片（30），其包括100-300 半导体材料的微米厚的施体层（10）和100-300微米厚的支撑层（20）; （B）在脆化区在所述施主层的受控深度（10）创建; （C）粘附所述施体晶片（30）到接收器晶片在施体晶片的施体层（10）的自由表面（30）; （D）传递环通过实现在脆化区分离半导体材料的薄层从施主晶片（30）到接收器晶片; 及（e）重复操作（b）至（d）在不损坏所述施主晶片（30）的支撑层（20）。 操作（a）到（d）重复的选择作为施体层（10）和脆化区的深度的厚度的函数的最大次数。 步骤（a）是由体晶片和所述支撑件的抛光表面之间的分子粘附或高温焊接实现。 阶段（b）通过气态物质的注入实现。 阶段（c）通过分子粘附实现。 阶段（d）中，通过施加热和/或机械应力实现。 半导体材料是单晶半导体，优选为Si，SiC和宽间隙单 - 或多 - 金属氮化物，尤其是爱的GaN。 该支撑件从包括以下的组的材料相同的材料作为单晶选择，但所有这些都是低质量的单晶，或者是多晶的，或是不同的聚型的。 支撑层（20）选自Si，氮化镓，碳化硅，氮化镓，碳化硅，氮化铝和蓝宝石中选择。 独立claimsoft给出用于施体晶片的制造方法。

公开(公告)号：EP1605505A1

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：EP04291472.1

申请日：2004-06-11

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： Maurice, Thibaut ,  Guiot, Eric c/o Résidence de Porte Paillac

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L22/12

摘要： The invention relates to a method for manufacturing a material compound wafer, in particular a heterogeneous material compound, more in particular a heterogeneous material compound comprising at least two materials with different physical and/or chemical properties, in particular with different thermal expansion coefficients, comprising the steps of forming a predetermined splitting area in a source substrate, attaching the source substrate to a handle substrate to form a source-handle-compound and thermal annealing of the source substrate for weakening of the source substrate at the predetermined splitting area. In order to achieve better quality material compound wafers and a higher production yield the method further comprises determining of a degree of weakening characterizing the physical strength of the weakened predetermined splitting area which is carried out during and/or after the thermal annealing step. The invention furthermore relates to a thermal annealing device used in the manufacturing process of a material compound wafer.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过在源极基板中形成预定的分裂区域来制造材料复合晶片的方法; 将所述源极基板附接到手柄基板以形成组件; 加热组件以削弱预定的分割区域; 并且确定预定分离区域的弱化程度，其证明加热期间或之后预定分离区域的物理强度，以检测可能导致源底物，手柄或组件损坏的异常。 弱化的程度有利地就地确定，并且可以在加热期间连续地或周期性地确定。 本发明还涉及用于材料复合晶片的制造过程中的热退火装置。 该装置通常包括用于对上述组件进行热退火的装置; 以及用于在热退火期间或之后确定预定分裂区域的弱化程度的装置，以检测可能导致源基板，手柄或组件损坏的异常。

公开(公告)号：EP1427002A1

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：EP02293044.0

申请日：2002-12-06

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： Letertre, Fabrice ,  Maleville, Christophe ,  Maurice, Thibaut ,  Mazure, Carlos ,  Metral, Frederique

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/263 ,  H01L21/762 ,  H01L21/306 ,  B23K26/06 ,  B23K26/16 ,  B23K26/38 ,  B26F3/00

CPC分类号： H01L21/02032 ,  B23K26/066 ,  B23K26/38 ,  B26F3/004 ,  H01L21/76254

摘要： The present invention relates to a method for recycling a substrate, especially a wafer, said substrate having a profile with a surface and a collar, wherein an interface provided between said surface and said collar has been formed by a previous separation step, and said profile is further planarised for obtaining a plane surface. In order to provide an improved method of the above-mentioned type which allows a substrate to be reused more often and enables the recycled substrate to be produced with a low total thickness variance, wherein a good planar surface quality is obtained, it is suggested that the method comprises a severing of the collar from said surface and said interface in a separate step.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于再循环基底，特别是晶片的方法，所述基底具有带有表面和颈圈的轮廓，其中通过先前的分离步骤形成了在所述表面和所述颈圈之间设置的界面，并且所述轮廓 进一步平面化以获得平面。 为了提供一种改进的上述类型的方法，其允许更多地重复使用基底，并且能够以低的总厚度变化生产再循环的基底，其中获得良好的平坦表面质量，因此建议 该方法包括在单独的步骤中从所述表面和所述界面切断套环。

公开(公告)号：EP1482539A1

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：EP03291253.7

申请日：2003-05-26

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： Maurice, Thibaut ,  Blondeau, Beryl

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/762 ,  Y10T428/21

摘要： The invention concerns a method of preparation of a wafer (1), in particular a silicon on insulator (SOI) or silicon on quartz (SOQ) type wafer (7,15), designated to be used in the fabrication of devices for optical, electronic, opto-electronic or micro-mechanical applications, wherein the wafer comprises a front side (2) and a backside (3), and wherein functional structures (16) are created on or in at least the front side (2) of the wafer (1,7,15) during the fabrication process. In order to make wafer handling less critical and to obtain wafers with a good final product quality it is suggested to provide a cap layer on or in the backside of the wafer. Furthermore the invention also concerns a wafer (1), as described above, where a cap layer (4) is provided on or in the backside (3) surface of the wafer (1,7,15).

摘要翻译： 晶片的制备（1）包括上或在背面（3）在晶片的表面上或在晶片的前侧（2）在制造过程中产生的功能结构（16）（4）施加覆盖层。 一个独立的claimsoft包括用于晶片E.G. 在石英晶片型绝缘体上硅或硅包括在晶片表面和帽层的上或在晶片的面的背面侧的前侧表面和背面，功能结构。

公开(公告)号：EP1427001A1

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：EP02293043.2

申请日：2002-12-06

申请人： S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.

发明人： Letertre, Fabrice ,  Maurice, Thibaut ,  Mazure, Carlos

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02032 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76259

摘要： The present invention relates to a method for recycling a surface of a substrate, especially a silicon wafer, wherein the surface comprises a separation profile which has been formed by a separation step and said separation step has been carried out after an implantation of a substance into the substrate, wherein said separation profile is planarised by removing material from the surface for obtaining a plane uniform surface. It is the object of the present invention to provide a method for recycling of a surface of a substrate by which the recycled surface can be more often reused and wherein the recycled substrate has a good thickness variance. This object is solved by a method of the above-mentioned type characterised in that only the region of said surface being close to the edge of said substrate is planarised by a successive thinning of the material of said region in a separate step.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于再循环基底，特别是硅晶片的表面的方法，其中所述表面包括通过分离步骤形成的分离曲线，并且所述分离步骤已经在将物质植入之后进行 其中所述分离轮廓通过从表面去除材料来平坦化以获得平面均匀的表面。 本发明的目的是提供一种用于再循环基底表面的方法，通过该方法再循环表面可以更经常地重复使用，并且其中再循环的基底具有良好的厚度变化。 该目的通过上述类型的方法得到解决，其特征在于仅在所述衬底的边缘附近的所述表面的区域通过在单独步骤中所述区域的材料的连续变薄而平坦化。