Die Erfindung betrifft eine Vorform aus synthetischem Quarzglas, geeignet zur Beaufschlagung mit DUV-Strahlung im Wellenlängenbereich unter 250 nm, mit einem Kernbereich, der im wesentlichen frei von Schichtungen ist, dessen OH-Gehalt größer als 900 ppm, dessen CI-Gehalt kleiner als 50 ppm, und dessen H 2 -Verbrauch größer als 0,5 x 10 18 Moleküle/cm 3 ist, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass die DUV-Widerstandfähigkeit durch einen relativen H 2 -Verbrauch gegeben ist, der mit zunehmender Energiedosis in eine Sättigung geht.
Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorform aus Quarzglas vorgeschlagen, bei dem auf eine rotierende Fläche eine Brennerflamme gerichtet ist, und der Rohstoff SiCl 4 unter Anwesenheit von H 2 und O 2 bei Temperaturen oberhalb 2000° Celsius umgesetzt, zu SiO 2 auf der rotierenden Fläche abgeschieden und sofort glasig aufgeschmolzen wird, und die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Flamme durch die zentrale Mitteldüse 0,92 bis 1,12 kg/h SiCl 4 bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 15 m/s bis 21 m/s zugeführt wird.