发明授权
- 专利标题： MRAM-ANORDNUNG MIT AUSWAHLTRANSISTOREN GROSSER KANALWEITE
- 专利标题（英）： Mram arrangement with selection transistors of large channel width
- 专利标题（中）： 与选区MRAM安排晶体管BIG宽的通道
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申请号： EP01993931.3申请日： 2001-11-12
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公开(公告)号： EP1342242B1公开(公告)日： 2004-06-09
- 发明人: BOEHM, Thomas , HÖNIGSCHMID, Heinz , RÖHR, Thomas
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 代理机构： Kottmann, Heinz Dieter, Dipl.-Ing.
- 优先权： DE10056159 20001113
- 国际公布： WO2002039455 20020516
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16
摘要：
The invention relates to an MRAM arrangement, comprising a selection transistor (T), connected to several MTJ memory cells (1) and with an increased channel width.
公开/授权文献
- EP1342242A2 MRAM-ANORDNUNG MIT AUSWAHLTRANSISTOREN GROSSER KANALWEITE 公开/授权日：2003-09-10
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