发明公开
EP1459362A2 VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN VON III-V-HALBLEITERSCHICHTEN AUF EINEM NICHT-III-V-SUBSTRAT
审中-公开
METHOD FOR REMOVING III-V族半导体层上形成非-III-V衬底
- 专利标题： VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN VON III-V-HALBLEITERSCHICHTEN AUF EINEM NICHT-III-V-SUBSTRAT
- 专利标题（英）： Method for depositing iii-v semiconductor layers on a non-iii-v substrate
- 专利标题（中）： METHOD FOR REMOVING III-V族半导体层上形成非-III-V衬底
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申请号： EP02790389.7申请日： 2002-11-16
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公开(公告)号： EP1459362A2公开(公告)日： 2004-09-22
- 发明人: JÜRGENSEN, Holger , KROST, Alois , DADGAR, Armin
- 申请人： Aixtron AG
- 申请人地址： Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen DE
- 专利权人： Aixtron AG
- 当前专利权人： Aixtron AG
- 当前专利权人地址： Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen DE
- 代理机构： Grundmann, Dirk, Dr.
- 优先权： DE10163718 20011221; DE10206753 20020219; DE10219223 20020430
- 国际公布： WO2003054929 20030703
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L33/00 ; C30B25/02 ; H01L21/762
摘要：
The invention relates to a method for depositing thick III-V semiconductor layers on a non-III-V substrate, particularly a silicon substrate, by introducing gaseous starting materials into the process chamber of a reactor. The aim of the invention is to carry out the crystalline deposition of thick III-V semiconductor layers on a silicon substrate without the occurrence of unfavorable lattice distortions. To this end, the invention provides that a thin intermediate layer is deposited at a reduced growth temperature between two III-V layers.
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