发明公开
- 专利标题： Semiconductor light-emitting device and production method thereof
- 专利标题（中）： 半导体发光器件及其制造方法
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申请号： EP04016420.4申请日： 1995-07-20
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公开(公告)号： EP1473781A2公开(公告)日： 2004-11-03
- 发明人: Kidoguchi, Isao , Adachi, Hideto , Ishibashi, Akihiko , Ohnaka, Kiyoshi , Ban, Yuzaburo , Kubo, Minoru
- 申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 申请人地址： 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 JP
- 专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 JP
- 代理机构： Schwabe - Sandmair - Marx
- 优先权： JP16939494 19940721
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A semiconductor light-emitting device with a double hetero structure, including: an active layer made of Ga 1-x In x N (0 ≤ x ≤ 0.3) doped with a p-type impurity and an n-type impurity; and first and second cladding layers provided so as to sandwich the active layer.
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