发明授权
EP1514313B1 GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE WITH UNDOPED CLADDING LAYER AND MULTIPLE QUANTUM WELL
有权
未掺杂的涂层和多量子阱结构的III族氮化物发光二极管
- 专利标题： GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE WITH UNDOPED CLADDING LAYER AND MULTIPLE QUANTUM WELL
- 专利标题（中）： 未掺杂的涂层和多量子阱结构的III族氮化物发光二极管
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申请号： EP03764297.2申请日： 2003-05-20
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公开(公告)号： EP1514313B1公开(公告)日： 2016-07-20
- 发明人: EDMOND, John, Adam , DOVERSPIKE, Kathleen, Marie , KONG, Hua-Shuang , BERGMANN, Michael, John , Emerson, David, Todd
- 申请人： Cree, Inc.
- 申请人地址： 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 US
- 专利权人： Cree, Inc.
- 当前专利权人： Cree, Inc.
- 当前专利权人地址： 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 US
- 代理机构： Boult Wade Tennant
- 优先权： US159893 20020530
- 国际公布： WO2004008552 20040122
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/02 ; H01L33/06 ; H01L33/14 ; H01L33/32
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