BASIC CELL, END SECTION CELL, WIRING SHAPE, WIRING METHOD, SHIELD WIRING STRUCTURE

发明公开

EP1670050A4 BASIC CELL, END SECTION CELL, WIRING SHAPE, WIRING METHOD, SHIELD WIRING STRUCTURE 审中-公开

标题翻译：基本单元ENDABSCHNITTSZELLE，接线形式，接线方法，屏蔽布线结构

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专利标题： BASIC CELL, END SECTION CELL, WIRING SHAPE, WIRING METHOD, SHIELD WIRING STRUCTURE
专利标题（中）： 基本单元ENDABSCHNITTSZELLE，接线形式，接线方法，屏蔽布线结构
申请号： EP04772752

申请日： 2004-08-27
公开(公告)号： EP1670050A4

公开(公告)日： 2011-06-15
发明人: MATSUNO NORIAKI , TSUNODA MASATO , WADA HIROFUMI
申请人： PANASONIC CORP
专利权人： PANASONIC CORP
当前专利权人： PANASONIC CORP
优先权： JP2003305392 2003-08-28; JP2004183810 2004-06-22
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205 ; G06F17/50 ; G06F21/00 ; G06K19/073 ; H01L21/28 ; H01L21/288 ; H01L21/3213 ; H01L21/768 ; H01L21/82 ; H01L21/822 ; H01L23/52 ; H01L23/522 ; H01L23/58 ; H01L27/04 ; H01L29/40 ; H01L29/51

BASIC CELL, END SECTION CELL, WIRING SHAPE, WIRING METHOD, SHIELD WIRING STRUCTURE

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）