发明授权
- 专利标题： HIGH POWER SEMICONDUCTOR LASER DIODE
- 专利标题（中）： HOCHLEISTUNGSHALBLEITERLASERDIODE
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申请号： EP06755802.3申请日： 2006-06-28
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公开(公告)号： EP1897190B1公开(公告)日： 2017-01-25
- 发明人: HARDER, Christoph , JAKUBOWICZ, Abram , MATUSCHEK, Nicolai , TROGER, Joerg , SCHWARZ, Michael
- 申请人： II-VI Laser Enterprise GmbH
- 申请人地址： Binzstrasse 17 8045 Zürich CH
- 专利权人： II-VI Laser Enterprise GmbH
- 当前专利权人： II-VI Laser Enterprise GmbH
- 当前专利权人地址： Binzstrasse 17 8045 Zürich CH
- 代理机构： Talbot-Ponsonby, Daniel Frederick
- 优先权： GB0513039 20050628
- 国际公布： WO2007000615 20070104
- 主分类号： H01S5/20
- IPC分类号： H01S5/20 ; H01S5/22 ; H01S5/042 ; H01S5/02
公开/授权文献
- EP1897190A2 HIGH POWER SEMICONDUCTOR LASER DIODE 公开/授权日：2008-03-12
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