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发明授权
HIGH POWER SEMICONDUCTOR LASER DIODE 有权
标题翻译： HOCHLEISTUNGSHALBLEITERLASERDIODE

公开(公告)号：EP1897190B1

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：EP06755802.3

申请日：2006-06-28

申请人： II-VI Laser Enterprise GmbH

发明人： HARDER, Christoph , JAKUBOWICZ, Abram , MATUSCHEK, Nicolai , TROGER, Joerg , SCHWARZ, Michael

IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/042 , H01S5/02

CPC分类号： H01S5/0425 , H01L2224/48463 , H01S5/02276 , H01S5/1039 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22