发明公开
EP1945840A2 INTERCONNECTS AND HEAT DISSIPATORS BASED ON NANOSTRUCTURES
有权
NANOSTRUKTUR-ENTHALTENDE INTEGRIERTE SCHALTUNG
- 专利标题： INTERCONNECTS AND HEAT DISSIPATORS BASED ON NANOSTRUCTURES
- 专利标题（中）： NANOSTRUKTUR-ENTHALTENDE INTEGRIERTE SCHALTUNG
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申请号： EP06850481.0申请日： 2006-08-28
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公开(公告)号： EP1945840A2公开(公告)日： 2008-07-23
- 发明人: KABIR, Mohammad, Shafiqul
- 申请人： Smoltek AB
- 申请人地址： Stena Center 1D 412 92 Göteborg SE
- 专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人地址： Stena Center 1D 412 92 Göteborg SE
- 代理机构： Janson, Ronny
- 优先权： SE0501888 20050826; US772449P 20060210; US412060 20060425
- 国际公布： WO2007119123 20071025
- 主分类号： D01F9/127
- IPC分类号： D01F9/127 ; D01F9/08 ; H01L51/00 ; H01L21/04 ; H01L23/373 ; C01B31/02 ; C23C16/04 ; C23C16/26 ; H01J1/304 ; H01J3/02 ; H01J9/02
摘要：
The present invention provides for nanostnictures grown on a conducting or insulating substrate, and a method of making the same. The nanostructures grown according to the claimed method are suitable for interconnects and/or as heat dissipators in electronic devices.
公开/授权文献
- EP1945840B1 INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING NANOSTRUCTURES 公开/授权日：2017-03-08
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