发明公开
EP2091116A3 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser
审中-公开
一种用于制造半导体激光器和半导体激光器的过程
- 专利标题: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser
- 专利标题(英): Method for manufacturing a semiconductor laser and semiconductor laser
- 专利标题(中): 一种用于制造半导体激光器和半导体激光器的过程
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申请号: EP09151143.6申请日: 2009-01-22
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公开(公告)号: EP2091116A3公开(公告)日: 2013-10-02
- 发明人: Dachs, Jürgen , Illek, Stefan , Singer, Frank , Schwarz, Thomas , Schulz, Roland , Unold, Heiko
- 申请人: Osram Opto Semiconductors Gmbh
- 申请人地址: Leibnizstr 4 93055 Regensburg DE
- 专利权人: Osram Opto Semiconductors Gmbh
- 当前专利权人: Osram Opto Semiconductors Gmbh
- 当前专利权人地址: Leibnizstr 4 93055 Regensburg DE
- 代理机构: Epping - Hermann - Fischer
- 优先权: DE102008009108 20080214
- 主分类号: H01S5/02
- IPC分类号: H01S5/02 ; H01L33/00 ; H01L21/78
摘要:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100) mit den folgenden Verfahrensschritten angegeben:
a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30),
b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30),
c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei
- jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst,
- jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und
- die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.
a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (30),
b) Herstellen eines Verbunds (70) durch Aufbringen einer Vielzahl von Halbleiterlaserchips (4) auf eine Oberseite (31) der Trägerscheibe (30),
c) Vereinzeln des Verbundes (70) zu einer Vielzahl von Halbleiterlasern (100), wobei
- jeder Halbleiterlaser (100) einen Montageblock (3) und zumindest einen Halbleiterlaserchip (4) umfasst,
- jeder Montageblock (3) eine Montagefläche (13) aufweist, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberseite (12) des Montageblocks (3) verläuft, auf welcher der Halbleiterlaserchip (4) angeordnet ist, und
- die Montagefläche (13) beim Vereinzeln des Verbunds erzeugt wird.
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