Method Of Forming A Wafer Level Package

发明授权

EP2107599B1 Method Of Forming A Wafer Level Package 有权

专利标题： Method Of Forming A Wafer Level Package
申请号： EP09156243.9

申请日： 2009-03-26
公开(公告)号： EP2107599B1

公开(公告)日： 2019-07-03
发明人: Kapusta, Christopher James , Cunningham, Donald , Saia, Richard Joseph , Durocher, Kevin , Iannotti, Joseph , Hawkins, William
申请人： General Electric Company
申请人地址： 1 River Road Schenectady, NY 12345 US
专利权人： General Electric Company
当前专利权人： General Electric Company
当前专利权人地址： 1 River Road Schenectady, NY 12345 US
代理机构： Dennemeyer & Associates S.A.
优先权： US59075 20080331
主分类号： H01L21/60
IPC分类号： H01L21/60 ; B81B7/00 ; H01L23/522 ; H01L23/31 ; H01L23/525 ; H01L23/485

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60	....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流