发明公开
- 专利标题： AMORPHOUS INSULATOR FILM AND THIN-FILM TRANSISTOR
- 专利标题（中）： 无定形绝缘体薄膜晶体管的FILM
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申请号： EP08710970.8申请日： 2008-02-04
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公开(公告)号： EP2126966A1公开(公告)日： 2009-12-02
- 发明人: YABUTA, Hisato , KAJI, Nobuyuki , HAYASHI, Ryo
- 申请人： Canon Kabushiki Kaisha
- 申请人地址： 30-2 Shimomaruko 3-chome Ohta-ku Tokyo 146-8501 JP
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： 30-2 Shimomaruko 3-chome Ohta-ku Tokyo 146-8501 JP
- 代理机构： Weser, Wolfgang
- 优先权： JP2007037994 20070219
- 国际公布： WO2008102651 20080828
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/786 ; H01L29/51 ; H01L29/49
摘要：
An amorphous insulator film is provided which is composed of silicon (Si) oxide, in which the amorphous insulator film includes Ar and an amount of Ar included therein is equal to or larger than 3 atom% in terms of atomic ratio with respect to Si.
公开/授权文献
- EP2126966B1 THIN-FILM TRANSISTOR WITH AMORPHOUS INSULATOR FILM 公开/授权日：2015-04-08
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