Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements vorgeschlagen, das von einem Substrat (1) ausgeht, auf dem unter Verwendung mindestens einer strukturierten SiGe-Opferschicht (4) und mindestens einer Funktionsschicht (5) eine mikromechanische Struktur (7) in einem Schichtaufbau erzeugt wird. Erfindungsgemäß wird über der SiGe-Opferschicht (4) eine SiC-Schicht (5) als Funktionsschicht abgeschieden und strukturiert, wobei mindestens eine Zugangsöffnung (6) zu mindestens einem SiGe-Opferschichtbereich (4) erzeugt wird. Zumindest ein Teil des SiGe-Opferschichtmaterials wird in einem Ätzangriff über die mindestens eine Zugangsöffnung (6) in der SiC-Funktionsschicht (5) entfernt.