发明授权
- 专利标题： Memory cell array comprising nanogap memory elements
- 专利标题（中）： 存储单元阵列具有纳米间隙的存储器元件
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申请号： EP09179363.8申请日： 2009-12-16
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公开(公告)号： EP2202799B1公开(公告)日： 2014-09-17
- 发明人: Takahashi, Tsuyoshi , Furuta, Shigeo , Masuda, Yuichiro , Ono, Masatoshi
- 申请人： Funai Electric Co., Ltd. , Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc.
- 申请人地址： 7-1, Nakagaito 7-chome Daito-shi, Osaka 574-0013 JP
- 专利权人： Funai Electric Co., Ltd.,Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc.
- 当前专利权人： Funai Electric Co., Ltd.,Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc.
- 当前专利权人地址： 7-1, Nakagaito 7-chome Daito-shi, Osaka 574-0013 JP
- 代理机构： Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser
- 优先权： JP2008334122 20081226
- 主分类号： H01L27/24
- IPC分类号： H01L27/24 ; G11C13/00 ; G11C13/02
公开/授权文献
- EP2202799A3 Memory cell array comprising nanogap memory elements 公开/授权日：2013-09-04
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