- 专利标题： Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN
- 专利标题（英）： Method for producing a light emitting diode with a light emitting diode chip on a GaN basis
-
申请号： EP10182208.8申请日： 2001-03-16
-
公开(公告)号： EP2273574B9公开(公告)日： 2019-12-18
- 发明人: Bader, Stefan , Hahn, Berthold , Härle, Volker , Lugauer, Hans-Jürgen , Mundbrod-Vangerow, Manfred
- 申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 申请人地址： Leibnizstraße 4 93055 Regensburg DE
- 专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 当前专利权人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- 当前专利权人地址： Leibnizstraße 4 93055 Regensburg DE
- 代理机构： Epping - Hermann - Fischer
- 优先权： DE10026255 20000526; DE10020464 20000426
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/32 ; H01L33/40 ; H01L33/42
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
