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    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
    1.
    发明公开
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 审中-公开
    的光电子半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件，

    公开(公告)号：EP2110904A1

    公开(公告)日：2009-10-21

    申请号：EP09156692.7

    申请日：2009-03-30

    申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Kaiser, Stephan ,  Mayer, Bernd ,  Hahn, Berthold ,  Eberhard, Franz

    IPC分类号： H01S5/028 ,  H01S5/125 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/30 ,  H01S5/0281 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/162 ,  H01S5/183 ,  H01S5/405

    摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) umfasst dieses mindestens einen optisch aktiven Bereich (2), der mit einem kristallinen Halbleitermaterial gebildet ist, das mindestens einen der Stoffe Gallium oder Aluminium enthält. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauelement mindestens eine Facette (3) am optisch aktiven Bereich. Weiterhin weist das Halbleiterbauelement mindestens eine schwefel- oder selenhaltige Grenzschicht (4) mit einer Dicke von bis zu fünf Monolagen auf, wobei die Grenzschicht sich an der Facette befindet. Ein solches Halbleiterbauelement hat eine hohe Zerstörschwelle bezüglich optischer Leistungen, die im Betrieb des Halbleiterelements auftreten.

    摘要翻译： 光电子半导体元件的光学活性区域的（1）包括（图2b-c）与含镓和/或铝的结晶半导体材料; 在光学活性的区域中的小面（3）; 并在小面的边界层（4）。 边界层含有硫或硒和包含至多10个单层。 一个独立的claimsoft包含一种方法用于在光电半导体器件的制造，包括：（A）提供到光有源区域包括半导体材料做含有镓和/或铝; （B）上形成光学活性区的小平面; （C）脱氧，含有硫或硒的气体流中的小面; 和（D）形成含有硫或硒的边界层。

    Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN
    3.
    发明公开
    Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN 有权
    基于氮化镓的LED芯片，并用基于氮化镓的LED芯片制造Lumineszenzdiodenbauelements的方法

    公开(公告)号：EP2273574A2

    公开(公告)日：2011-01-12

    申请号：EP10182208.8

    申请日：2001-03-16

    申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH

    发明人： Bader, Stefan ,  Hahn, Berthold ,  Härle, Volker ,  Lugauer, Hans-Jürgen ,  Mundbrod-Vangerow, Manfred

    IPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/42

    摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN. Dabei wird der Lumineszenzdiodenchip (1) auf eine Chipmontagefläche (12) eines LED-Gehäuses, einer Leiterbahn in einem LED-Gehäuse oder eines elektrischen Anschlussrahmens (11), mit einer bondfähigen p-Kontaktschicht (6) zur Chipmontagefläche hin aufgebracht.

    摘要翻译： 发射辐射的半导体元件包括从不同的III-V族氮化物半导体层的叠层制成的半导体主体（1），并具有第一主表面（3）和第二主面（4）。 产生的辐射的一部分被穿过第一主表面耦合输出。 的反射器（6）被施加到第二主表面上。 因此独立claimsoft包括用于生产半导体元件的方法。 优选的特点：该半导体层由氮化镓，氮化铝，AAlGaN，InGaN或AlInGaN层的InAlN的。 所述反射器由选自Ag，Al或银一个-Al合金制成的金属镜像接触表面形成。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    6.
    发明公开
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：EP3327796A1

    公开(公告)日：2018-05-30

    申请号：EP17207707.5

    申请日：2009-01-19

    申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh

    发明人： Gmeinwieser, Nikolaus ,  Hahn, Berthold

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/10

    CPC分类号： H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen ersten Halbleiterschichtenstapel (101), der eine zur Emission von Strahlung eingerichtete aktive Schicht (110) und eine Hauptfläche (111) aufweist. Auf dieser Hauptfläche ist eine Trennschicht (103) angeordnet, die einen halbdurchlässigen Spiegel bildet. Das optoelektronische Bauelement umfasst einen zweiten Halbleiterschichtenstapel (102), der an der Trennschicht angeordnet ist und der eine weitere zur Emission von Strahlung eingerichtete aktive Schicht (120) aufweist. Weiterhin umfasst das Bauelement ein erstes Kontaktelement (112) des ersten Halbleiterschichtenstapels angeordnet auf einer weiteren Hauptfläche (113) des ersten Halbleiterschichtenstapels, wobei die weitere Hauptfläche (113) der Hauptfläche (111) gegenüber liegt und ein zweites Kontaktelement (114) des ersten Halbleiterschichtenstapels auf einer wiederum weiteren Hauptfläche (115) des ersten Halbleiterschichtenstapels, wobei die wiederum weitere Hauptfläche (115) zwischen der Hauptfläche (111) und der weiteren Hauptfläche (113) angeordnet ist, wobei das erste Kontaktelement (112) und das zweite Kontaktelement (114) einen elektrischen Kontakt der aktiven Schicht (110) des ersten Halbleiterschichtenstapels bereit-stellen.

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    7.
    发明公开
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 审中-公开
    一种用于制造半导体器件的工艺

    公开(公告)号：EP2894678A1

    公开(公告)日：2015-07-15

    申请号：EP14190109.0

    申请日：2004-01-27

    申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh

    发明人： Kaiser, Stephan ,  Härle, Volker ,  Hahn, Berthold

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/268

    CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/7806 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/83001

    摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben, bei dem eine Halbleiterschicht (2) von einem Substrat (1) durch Bestrahlen mit Laserimpulsen (6) getrennt wird, wobei die Impulsdauer der Laserimpulse (6) kleiner oder gleich 10 ns ist. Bei dem Verfahren wird vor der Trennung von dem Substrat (1) die Halbleiterschicht (2) mit der von dem Substrat (1) abgewandten Seite auf einen Träger (4) aufgebracht und die Laserimpulse (6) weisen ein räumliches Strahlprofil (7) auf, dessen Flankensteilheit so gering gewählt ist, daß Risse in der Halbleiterschicht (2), die durch thermisch induzierte laterale Verspannungen entstehen, vermieden werden, wobei das räumliche Strahlprofil gaußartige, hypergaußartige oder lorentzartige Flanken aufweist. Das Substrat weist weiterhin Saphir auf und der Träger (4) ist ein Molybdän-Wafer.

    摘要翻译： 提供了一种制造在其中半导体层（2）的基板（1）是通过用激光脉冲（6），其中所述激光脉冲的脉冲持续时间（6）小于或等于10纳秒照射断开的半导体器件的方法。 在该方法中，（1）施加在半导体层（2）与所述基板的从一个支撑件（4）从基板（1）分离之前背向侧和激光脉冲（6）具有空间光束轮廓（7）， 其斜率选择如此低，以致造成热诱导的侧向应力的半导体层（2）中的裂纹被避免，其中，所述空间具有光束轮廓gaußartigehypergaußartige或洛伦兹状边缘。 基材还包括蓝宝石和所述支撑件（4）是钼晶片。

    LEUCHTDIODENCHIP MIT INTEGRIERTEM SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN
    10.
    发明公开
    LEUCHTDIODENCHIP MIT INTEGRIERTEM SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
    一体式保护防止电气放电及相应方法LEDS CHIP

    公开(公告)号：EP3128555A1

    公开(公告)日：2017-02-08

    申请号：EP16187828.5

    申请日：2009-06-25

    申请人： Osram Opto Semiconductors Gmbh

    发明人： Engl, Karl ,  Hahn, Berthold ,  Streubel, Klaus ,  Klein, Markus

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/38

    CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/382 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) auf. Der aktive Bereich (20) ist zwischen der ersten Halbleiterschicht (21) und der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Halbleiterkörper (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht (31) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden.
    Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.

    摘要翻译： 发射辐射的半导体芯片，包括：载体和与半导体层序列包含于有源区域并产生辐射率的半导体本体，第一半导体层和第二半导体层; worin所述有源区在所述第一半导体层和第二半导体层之间设置; 所述第一半导体层被布置在面向远离载体的有源区的一侧; 该半导体主体包括至少一个凹槽，该凹槽通过有源区域延伸; 第一半导体层导电性地电连接到第一连接层延伸到由在载体的一个方向上的第一半导体层中的凹部; 和第一连接层电连接到经由一保护二极管的第二半导体层。