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EP2309039B1 SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL BY SUBLIMATION 有权
碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法以及通过升华生产碳化硅单晶的方法

  • 专利标题： SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL BY SUBLIMATION
  • 专利标题（中）： 碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法以及通过升华生产碳化硅单晶的方法
  • 申请号： EP09773287.9
    申请日： 2009-06-12
  • 公开(公告)号： EP2309039B1
    公开(公告)日： 2015-04-01
  • 发明人: OYANAGI Naoki , KOGOI Hisao
  • 申请人： Showa Denko K.K.
  • 申请人地址： 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518 JP
  • 专利权人： Showa Denko K.K.
  • 当前专利权人： Showa Denko K.K.
  • 当前专利权人地址： 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518 JP
  • 代理机构： Strehl Schübel-Hopf & Partner
  • 优先权： JP2008176255 20080704
  • 国际公布： WO2010001709 20100107
  • 主分类号： C30B29/36
  • IPC分类号： C30B29/36
SEED CRYSTAL FOR GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL BY SUBLIMATION
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