VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM IMPLANTIERTEN SCHICHTEN

发明授权

EP2313913B1 VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM IMPLANTIERTEN SCHICHTEN 有权

标题翻译：方法已植入蛋鸡镓的电子诱导蚀刻

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专利标题： VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM IMPLANTIERTEN SCHICHTEN
专利标题（英）： Method for electron beam induced etching of layers implanted with gallium
专利标题（中）： 方法已植入蛋鸡镓的电子诱导蚀刻
申请号： EP09777811.2

申请日： 2009-08-11
公开(公告)号： EP2313913B1

公开(公告)日： 2013-01-09
发明人: AUTH, Nicole , SPIES, Petra , BECKER, Rainer , HOFMANN, Thorsten , EDINGER, Klaus
申请人： Carl Zeiss SMS GmbH
申请人地址： Carl-Zeiss-Promenade 10 07745 Jena DE
专利权人： Carl Zeiss SMS GmbH
当前专利权人： Carl Zeiss SMS GmbH
当前专利权人地址： Carl-Zeiss-Promenade 10 07745 Jena DE
代理机构： Wegner, Hans
优先权： DE102008037951 20080814
国际公布： WO2010017963 20100218
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01L21/3065

VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM IMPLANTIERTEN SCHICHTEN

公开/授权文献

EP2313913A1 VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM VERUNREINIGTEN SCHICHTEN 公开/授权日：2011-04-27

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀