发明公开
EP2485249A2 Structure semiconductrice à surface lissée et procédé d'obtention d'une telle structure
有权
Halbleiterstruktur mitgeglätteterOberfläche和und Herstellungsverfahren einer solchen Struktur
- 专利标题： Structure semiconductrice à surface lissée et procédé d'obtention d'une telle structure
- 专利标题（英）： Semi-conductor structure with smooth surface and method for obtaining such a structure
- 专利标题（中）： Halbleiterstruktur mitgeglätteterOberfläche和und Herstellungsverfahren einer solchen Struktur
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申请号： EP12153906.8申请日： 2012-02-03
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公开(公告)号： EP2485249A2公开(公告)日： 2012-08-08
- 发明人: Bruel, Michel
- 申请人： Soitec
- 申请人地址： Chemin des Franques 38190 Bernin FR
- 专利权人： Soitec
- 当前专利权人： Soitec
- 当前专利权人地址： Chemin des Franques 38190 Bernin FR
- 代理机构： Collin, Jérôme
- 优先权： FR1150935 20110204
- 主分类号： H01L21/268
- IPC分类号： H01L21/268 ; H01L21/302 ; H01L21/324 ; H01L21/762
摘要：
La présente invention concerne un procédé de lissage de la surface d'une plaque semiconductrice, comprenant la mise en fusion de ladite surface par balayage de ladite surface par un faisceau de fusion, caractérisé en ce qu' il comprend :
■ La définition d'une longueur de référence,
■ Le réglage des paramètres du faisceau de fusion de manière à fusionner, lors du balayage de la surface, une zone locale de surface de la plaque dont la longueur est supérieure ou égale à la longueur de référence,
■ La fusion ainsi réalisée permettant de lisser ladite surface de manière à éliminer les rugosités de surface de période inférieures à la longueur de référence.
La présente invention concerne également une plaque semiconductrice comprenant une couche de surface en un matériau semiconducteur à cet effet.
■ La définition d'une longueur de référence,
■ Le réglage des paramètres du faisceau de fusion de manière à fusionner, lors du balayage de la surface, une zone locale de surface de la plaque dont la longueur est supérieure ou égale à la longueur de référence,
■ La fusion ainsi réalisée permettant de lisser ladite surface de manière à éliminer les rugosités de surface de période inférieures à la longueur de référence.
La présente invention concerne également une plaque semiconductrice comprenant une couche de surface en un matériau semiconducteur à cet effet.
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