- 专利标题： Verfahren zum Betrieb einer Plasmaversorgungseinrichtung und Plasmaversorgungseinrichtung
- 专利标题（英）： Method for operating a plasma supply device and plasma supply device
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申请号： EP12004116.5申请日： 2008-07-22
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公开(公告)号： EP2511940A2公开(公告)日： 2012-10-17
- 发明人: Glück, Michael , Kirchmeier, Thomas , Knaus, Hanns-Joachim , Windisch, Hans-Jürgen
- 申请人： HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG
- 申请人地址： Bötzinger Strasse 80 79111 Freiburg DE
- 专利权人： HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG
- 当前专利权人： HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG
- 当前专利权人地址： Bötzinger Strasse 80 79111 Freiburg DE
- 优先权： US951392 20070723
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H03H11/30
摘要：
Ein Verfahren zum Betrieb einer Plasmaversorgungseinrichtung mit zumindest einer wenigstens zwei schaltende Elemente (1-4) aufweisenden Schaltbrücke (100, 101), wobei die Plasmaversorgungseinrichtung, ein Hochfrequenzausgangssignal mit einer Leistung > 500W und einer im Wesentlichen konstanten Grundfrequenz > 3MHz an eine Plasmalast (60) liefert, umfasst die Schritte
- Ermitteln zumindest eines Betriebsparameters, zumindest eines Umgebungsparameters von wenigstens einem schaltenden Element und/oder eines Schaltbrückenparameters
- Ermitteln von individuellen Ansteuersignalen für die schaltenden Elemente (1-4) unter Berücksichtigung des zumindest einen Betriebsparameters, des zumindest einen Umgebungsparameters und/oder des Schaltbrückenparameters
- Individuelles Ansteuern der schaltenden Elemente (1-4) mit jeweils einem Ansteuersignal.
- Ermitteln zumindest eines Betriebsparameters, zumindest eines Umgebungsparameters von wenigstens einem schaltenden Element und/oder eines Schaltbrückenparameters
- Ermitteln von individuellen Ansteuersignalen für die schaltenden Elemente (1-4) unter Berücksichtigung des zumindest einen Betriebsparameters, des zumindest einen Umgebungsparameters und/oder des Schaltbrückenparameters
- Individuelles Ansteuern der schaltenden Elemente (1-4) mit jeweils einem Ansteuersignal.
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