发明公开
EP2518840A4 GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND EPITAXIAL SUBSTRATE
审中-公开
III族氮化物半导体激光元件，其制造方法III族氮化物半导体激光元件和外延基板
- 专利标题： GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND EPITAXIAL SUBSTRATE
- 专利标题（中）： III族氮化物半导体激光元件，其制造方法III族氮化物半导体激光元件和外延基板
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申请号： EP10839085申请日： 2010-11-11
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公开(公告)号： EP2518840A4公开(公告)日： 2014-12-31
- 发明人: YOSHIZUMI YUSUKE , ENYA YOHEI , KYONO TAKASHI , SUMITOMO TAKAMICHI , SAGA NOBUHIRO , ADACHI MASAHIRO , SUMIYOSHI KAZUHIDE , TOKUYAMA SHINJI , TAKAGI SHIMPEI , IKEGAMI TAKATOSHI , UENO MASAKI , KATAYAMA KOJI
- 申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
- 优先权： JP2009295802 2009-12-25; JP2010158949 2010-07-13
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343
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