PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

发明公开

EP2584590A4 PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE 审中-公开

标题翻译：工艺用于生产和SILICIUMCARBIDEINZELKRISTALLS的碳化硅衬底

专利标题： PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
专利标题（中）： 工艺用于生产和SILICIUMCARBIDEINZELKRISTALLS的碳化硅衬底
申请号： EP11795440

申请日： 2011-02-25
公开(公告)号： EP2584590A4

公开(公告)日： 2015-11-04
发明人: NISHIGUCHI TARO , HARADA SHIN , SASAKI MAKOTO
申请人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
当前专利权人： SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
优先权： JP2010136209 2010-06-15
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20 ; C30B23/02 ; C30B23/06 ; C30B29/36 ; C30B33/06 ; H01L21/02

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长