发明公开
- 专利标题： TRANSMISSION GATE CIRCUITRY FOR HIGH VOLTAGE TERMINAL
- 专利标题（中）： 传输的基础之上电路对高压端子
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申请号： EP11807201申请日： 2011-05-09
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公开(公告)号： EP2586127A4公开(公告)日： 2014-02-12
- 发明人: STOCKINGER MICHAEL A , CAMARENA JOSE A , ZHANG WENZHONG
- 申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
- 专利权人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
- 当前专利权人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
- 优先权： US82499110 2010-06-28
- 主分类号： H03K17/16
- IPC分类号： H03K17/16 ; H03K17/10 ; H03K19/003
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