SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES

发明公开

EP2647038A4 SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES 审中-公开

标题翻译：硅和锗硅纳米线结构

专利标题： SILICON AND SILICON GERMANIUM NANOWIRE STRUCTURES
专利标题（中）： 硅和锗硅纳米线结构
申请号： EP11844167

申请日： 2011-11-23
公开(公告)号： EP2647038A4

公开(公告)日： 2015-01-07
发明人: KUHN KELIN J , KIM SEIYON , RIOS RAFAEL , CEA STEPHEN M , GILES MARTIN D , CAPPELLANI ANNALISA , RAKSHIT TITASH , CHANG PETER , RACHMADY WILLY
申请人： INTEL CORP
专利权人： INTEL CORP
当前专利权人： INTEL CORP
优先权： US95817910 2010-12-01
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; B82Y10/00 ; H01L29/06 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/66 ; H01L29/775 ; H01L29/78 ; H01L29/786

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/336	......带有绝缘栅的