- 专利标题： APPARATUS FOR SELECTIVE WORD-LINE BOOST ON A MEMORY CELL
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申请号： EP12769230.9申请日： 2012-09-12
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公开(公告)号： EP2756500B1公开(公告)日： 2020-04-15
- 发明人: GARG, Manish , PHAN, Michael ThaiThanh
- 申请人： Qualcomm Incorporated
- 申请人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
- 代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
- 优先权： US201161533730P 20110912; US201161533745P 20110912; US201213609520 20120911
- 国际公布： WO2013040061 20130321
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/418 ; G11C11/419 ; G11C8/16 ; G11C8/08
公开/授权文献
- EP2756500A1 APPARATUS FOR SELECTIVE WORD-LINE BOOST ON A MEMORY CELL 公开/授权日：2014-07-23
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